K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BPH90 par Samsung Electronics et IS43TR16256A-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActifISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,60 | $19,09 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35V (DDR3L) | — |
| Boîtier | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Latence CAS | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |