K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BPH90 por Samsung Electronics y IS43TR16256A-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActivoISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,60 | $19,09 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Velocidad de datos | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.35V (DDR3L) | — |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Latencia CAS | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |