K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BPH90 メーカー: Samsung Electronics および IS43TR16256A-125KBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.60 | $19.09 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| メモリ構成 | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| データレート | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| 電源電圧 | 1.35V (DDR3L) | — |
| パッケージ | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CASレイテンシ | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| ピン数 | — | 96 |