K4B4G1646D-BYMA0 vs MT41K256M16TW-107 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYMA0 von Samsung Electronics und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYMA0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,50 | $14,10 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Data Mask | Supported | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |