K4B4G1646D-BYMA0 vs MT41K256M16TW-107 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYMA0 от Samsung Electronics и MT41K256M16TW-107 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYMA0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,50 | $14,10 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Data Mask | Supported | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Рабочая температура | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Статус RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |