K4B4G1646D-BYMA0 vs MT41K256M16TW-107 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYMA0 par Samsung Electronics et MT41K256M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYMA0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,50 | $14,10 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | Yes |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Data Mask | Supported | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |