K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BMK0 von Samsung Electronics und K4B4G1646E-BMMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $16,08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |