K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BMK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BMMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $16.08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| パッケージ | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| データレート | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |