K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $16,08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |