K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BMMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $16,08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |