K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646E-BMMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics e K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $16,08 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (Dynamic ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |