K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BMK0 von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,36 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Datenrate | 1600 Mbps | — |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CAS-Latenz | — | 11 |