K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,36 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | — |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latencia CAS | — | 11 |