K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,36 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Débit de données | 1600 Mbps | — |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latence CAS | — | 11 |