K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BMK0 от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-125 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $6,36 |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | — |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Напряжение питания | — | 1.35 V |
| Количество выводов | — | 96 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Задержка CAS | — | 11 |