K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,36 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de operação | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Taxa de dados | 1600 Mbps | — |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V |
| Número de pinos | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latência CAS | — | 11 |