K4B4G1646E-BMK0 vs MT41K256M16HA-125 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BMK0 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BMK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $6.36 |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 96-FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| データレート | 1600 Mbps | — |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| ピン数 | — | 96 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CASレイテンシ | — | 11 |