K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics und MT41K64M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology

MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology

MT41K64M16TW-107 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4B4G1646E-BYK000 MT41K64M16TW-107
Marke Samsung Electronics Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,56 $2,95
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4 Gbit 1 Gbit
Speicherorganisation 256M x 16 64M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) —
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
Gehäuse 96-FBGA (BYK) 96-FBGA (8 x 14 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel Parallel
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Eigenschaften Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free, halogen-free suffix J)
Access Time 1.25 ns 20 ns
Datenrate — 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107)
Versorgungsspannung — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Technology — CMOS DRAM
Refresh — Self refresh / auto refresh
Base Part Number — MT41K64M16
Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode — 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications)

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