K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYK000 제조: Samsung Electronics 및 MT41K64M16TW-107 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology
MT41K64M16TW-107 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K64M16TW-107 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.56 | $2.95 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 1 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 64M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| 패키지 | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free, halogen-free suffix J) |
| Access Time | 1.25 ns | 20 ns |
| 데이터 속도 | — | 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107) |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Refresh | — | Self refresh / auto refresh |
| Base Part Number | — | MT41K64M16 |
| Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode | — | 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications) |