K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYK000 メーカー: Samsung Electronics および MT41K64M16TW-107 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology
MT41K64M16TW-107 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K64M16TW-107 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.56 | $2.95 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | 1 Gbit |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 64M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| パッケージ | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| 特長 | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free, halogen-free suffix J) |
| Access Time | 1.25 ns | 20 ns |
| データレート | — | 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107) |
| 電源電圧 | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Refresh | — | Self refresh / auto refresh |
| Base Part Number | — | MT41K64M16 |
| Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode | — | 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications) |