K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics et MT41K64M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Actif
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology

MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology

MT41K64M16TW-107 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4B4G1646E-BYK000 MT41K64M16TW-107
Marque Samsung Electronics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,56 $2,95
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit 1 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 16 64M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) —
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] —
Die Process Samsung E-die —
Boîtier 96-FBGA (BYK) 96-FBGA (8 x 14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel Parallel
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Caractéristiques Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free, halogen-free suffix J)
Access Time 1.25 ns 20 ns
Débit de données — 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107)
Tension d'alimentation — 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Technology — CMOS DRAM
Refresh — Self refresh / auto refresh
Base Part Number — MT41K64M16
Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode — 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications)

Fiches techniques et ressources

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