K4B4G1646E-BYK000 vs MT41K64M16TW-107 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics e MT41K64M16TW-107 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology
MT41K64M16TW-107 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646E-BYK000 | MT41K64M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,56 | $2,95 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit | 1 Gbit |
| Organização da memória | 256M x 16 | 64M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Recursos | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free, halogen-free suffix J) |
| Access Time | 1.25 ns | 20 ns |
| Taxa de dados | — | 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107) |
| Tensão de alimentação | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Refresh | — | Self refresh / auto refresh |
| Base Part Number | — | MT41K64M16 |
| Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode | — | 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications) |