K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics und H5TC4G63AFR-PBI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Obsolete |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,32 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |