K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63AFR-PBI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | Obsolete |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.32 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| データレート | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| ピン数 | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |