K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics et H5TC4G63AFR-PBI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,32 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |