K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYMA 제조: Samsung Electronics 및 H5TC4G63AFR-PBI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $14.32 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| 핀 수 | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |