K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63AFR-PBI Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics y H5TC4G63AFR-PBI por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,32 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps/pin | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 (BL8) |
| Número de pines | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Estado RoHS | — | Compliant |