K4B4G1646Q vs K4B4G1646 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646Q von Samsung Electronics und K4B4G1646 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $11,96 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |