K4B4G1646Q vs K4B4G1646 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646Q par Samsung Electronics et K4B4G1646 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $11,96 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latence CAS | Programmable | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |