K4B4G1646Q vs K4B4G1646 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646Q メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $11.96 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| データレート | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CASレイテンシ | Programmable | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| インターフェース | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |