K4B4G1646Q vs K4B4G1646 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics y K4B4G1646 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $11,96 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latencia CAS | Programmable | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Interfaz | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |