K4B4G1646Q vs K4B4G1646 对比
详细并排对比 K4B4G1646Q 出自 Samsung Electronics 和 K4B4G1646 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $6.50 | $11.96 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 存储组织 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 数据总线宽度 | 16 bits | — |
| 电源电压 | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| 数据速率 | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| 封装 | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 无卤 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS 延迟 | Programmable | — |
| 工作温度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| 存储容量 | — | 4 Gbit |
| 接口 | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| 安装类型 | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| RoHS 状态 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 等级 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |