K4B4G1646Q vs K4B4G1646 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646Q от Samsung Electronics и K4B4G1646 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $11,96 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Разрядность шины данных | 16 bits | — |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Задержка CAS | Programmable | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| Статус RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |