K4B4G1646Q vs K4B4G1646 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics e K4B4G1646 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646Q | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $11,96 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latência CAS | Programmable | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +95C |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| Status RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |