K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646Q von Samsung Electronics und MT41K256M16TW-093 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $15,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Datenbusbreite | 16 bits | 16 bit |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Datenrate | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Schnittstellentyp | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |