K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics e MT41K256M16TW-093 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $15,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | 16 bit |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Taxa de dados | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latência CAS | Programmable | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de interface | — | Parallel |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |