K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646Q por Samsung Electronics y MT41K256M16TW-093 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron
MT41K256M16TW-093 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $15,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | 16 bit |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latencia CAS | Programmable | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tipo de interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |