K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646Q メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16TW-093 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $15.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| データバス幅 | 16 bits | 16 bit |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| データレート | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CASレイテンシ | Programmable | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| メモリサイズ | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| インターフェースタイプ | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |