K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646Q от Samsung Electronics и MT41K256M16TW-093 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron
MT41K256M16TW-093 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $15,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Разрядность шины данных | 16 bits | 16 bit |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Задержка CAS | Programmable | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Тип интерфейса | — | Parallel |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |