K4B4G1646Q vs MT41K256M16TW-093 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646Q par Samsung Electronics et MT41K256M16TW-093 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646Q | MT41K256M16TW-093 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $15,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | 16 bit |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Débit de données | 1866 Mbps (PC3-14900) | 2133 MT/s |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Latence CAS | Programmable | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.066 GHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Type d'interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |