K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BIWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VB-BCQK | K4RAH165VB-BIWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| معدل البيانات | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| الميزات | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +85C |
| العلبة | 106-ball FBGA | 106-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 16 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| On-Die ECC | — | Yes (per K4RAH165VB family datasheet) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| DLL | — | DLL enabled mode of operation (per datasheet) |
| Standard Packaging | — | 1000 units |