K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH165VB-BCQK מאת Samsung Electronics ו K4RAH165VB-BIWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIWM
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
גודל זיכרון 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
קצב נתונים 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
תכונות Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
טמפרטורת פעולה 0C to +85C 0C to +85C
מארז 106-ball FBGA 106-ball FBGA
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
סטטוס מחזור חיים Active —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family)
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
ארגון — 1G x 16
מתח אספקה — 1.1 V
On-Die ECC — Yes (per K4RAH165VB family datasheet)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL — DLL enabled mode of operation (per datasheet)
Standard Packaging — 1000 units

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר