K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4RAH165VB-BCQK disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4RAH165VB-BIWM disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIWM
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Saiz Ingatan 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Kadar Data 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Ciri-ciri Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Suhu Operasi 0C to +85C 0C to +85C
Kemasan 106-ball FBGA 106-ball FBGA
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Status Lingkungan Hidup Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family)
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
Organisasi — 1G x 16
Tegangan Pemberi Arus — 1.1 V
On-Die ECC — Yes (per K4RAH165VB family datasheet)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL — DLL enabled mode of operation (per datasheet)
Standard Packaging — 1000 units

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga