K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIWM तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BIWM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BIWM
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
डेटा दर 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
विशेषताएँ Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C 0C to +85C
पैकेज 106-ball FBGA 106-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
लाइफसाइकिल स्थिति Active —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family)
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 16 Gb
संगठन — 1G x 16
सप्लाई वोल्टेज — 1.1 V
On-Die ECC — Yes (per K4RAH165VB family datasheet)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL — DLL enabled mode of operation (per datasheet)
Standard Packaging — 1000 units

डेटाशीट और संसाधन

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