M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W800FT70ZA3SE von Micron Technology und M29W800FB70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $0,91
Speichertyp NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Speichergröße 8 Mbit —
Speicherorganisation 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Schnittstelle Parallel —
Versorgungsspannung 2.7 V to 3.6 V —
Betriebstemperatur -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Gehäuse 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Schnittstellentyp — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Datenblätter & Ressourcen

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