M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F 对比

详细并排对比 M29W800FT70ZA3SE 出自 Micron Technology 和 M29W800FB70N3F 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ 量产中
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M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ 量产中

规格对比

参数 M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 EEPROM Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $1.38 $0.91
存储器类型 NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
存储容量 8 Mbit —
存储组织 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
接口 Parallel —
电源电压 2.7 V to 3.6 V —
工作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
封装 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS 状态 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
接口类型 — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

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