M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FT70ZA3SE 제조: Micron Technology 및 M29W800FB70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FT70ZA3SE | M29W800FB70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.38 | $0.91 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Boot Block) |
| 메모리 크기 | 8 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 512K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Technology | SLC | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 패키지 | 48-TFBGA (6x8 mm) | TSOP-48 (12 x 20 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Interface | CFI command set | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT = top boot block) | — |
| Density | 8 Mb | 8 Mbit |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA code] | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel |
| Boot Block Location | — | Bottom |
| Block Count | — | 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) |
| Bus Width Selection | — | x8 / x16 via BYTE# pin |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| CFI Compliant | — | Yes |
| Erase Suspend/Resume | — | Yes |
| Packaging | — | Tape & Reel |