M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W800FT70ZA3SE por Micron Technology y M29W800FB70N3F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Activo
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $0,91
Tipo de memoria NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Tamaño de memoria 8 Mbit —
Organización de memoria 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Interfaz Parallel —
Tensión de alimentación 2.7 V to 3.6 V —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Encapsulado 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Tipo de interfaz — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

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