M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F 比較

詳細な並列比較: M29W800FT70ZA3SE メーカー: Micron Technology および M29W800FB70N3F メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ 生産中
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M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ EEPROM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $0.91
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
メモリサイズ 8 Mbit —
メモリ構成 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel —
電源電圧 2.7 V to 3.6 V —
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
パッケージ 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
インターフェースタイプ — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

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