M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W800FT70ZA3SE от Micron Technology и M29W800FB70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Активен
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,38 $0,91
Тип памяти NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Размер памяти 8 Mbit —
Организация памяти 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V —
Рабочая температура -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Корпус 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Тип интерфейса — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену